√ 具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器等电路中；
√ 集电极-基极击穿电压：BVCBO≥20V，集电极电流： IC≥100mA,集电极功率：PT≥600mW， 特征频率：fT=7GHz；
√ 可替代进口同类型号参数的高频微波低噪声晶体管；
√ 封装形式：TO-92 塑封。

√ 具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带
√ 低噪声放大器等电路中；
√ 集电极-基极击穿电压：BVCBO≥11V，集电极电流： IC≥50mA,集电极功率： PT≥600mW， 特征频率：fT=7.0GHz；
√ 可替代进口同类型号参数的高频微波低噪声晶体管；
√ 封装形式：TO-92(2)塑封。

√ 具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器等电路中；
√ 集电极-基极击穿电压：BVCBO≥20V，集电极电流： IC≥65mA,集电极功率： PC≥200mW （SOT-323 封装 PC≥150mW），特征频率：fT=9GHz；
√ 可替代进口同类型号参数的高频微波低噪声晶体管；
√ 封装形式：SC-59（SOT-23-3L）、SOT-23。

√ 本芯片采用硅外延工艺制造；
√ 具有高功率增益放大以及低噪声特性；
√ 大动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器；
√ 可替代进口同类型号的 2SC3585,其性能指标均相同;
√ 封装形式：SOT-23；
√ 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=50mA,集电极功率：PC=200mW，特征频率：fT=9GHz。

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏 电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流：IC=70mA,集电 极耗散功率：PC=300mW，特征频率：fT=9GHz；
√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 和 SOT143R 表 面贴塑封；

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、 小结电容特性；
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级小信号放 大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤传 输中的中继放大器等品；
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流：IC=30mA,集电 极耗散功率：PC=150mW，特征频率：fT=10GHz；
√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 和 SOT143R 表 面贴塑封;

√ 具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF、CATV、雷达感应开关、无线安防、射频模块等高频宽带低噪声放大器等电路中；
√ 集电极发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流： IC=35mA,集电极最大耗散功率： PC=150mW，特征频率：fT=8.0GHz;
√ 封装形式： SOT323，直流放大倍数对应塑封本体印字：

√ 具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器等电路中；
√ 集电极-基极击穿电压：BVCBO≥16V，集电极电流：IC≥100mA,集电极功率： PC≥200mW，特征频率：fT=9GHz；
√ 可替代进口同类型号参数的高频微波低噪声晶体管；
√ 封装形式： SOT-23 ，本体印字：XM-。

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏 电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、 射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；
√ 集电极-基极击穿电压：BVCEO=9V，最大集电极电流：ICM=50mA,特征频 率：fT=9GHz;
√ 封装形式： SOT323,本体印字(Marking)：XM-##。

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤模块等产品；
√ 集电极-基极击穿电压：BVCEO=9V，最大集电极电流：ICM=50mA,特征频率：fT=9GHz;
√ 封装形式： SOT143B,本体印字(Marking)：YJ。