2SC3357 NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用双极硅外延工艺制造，具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动 态范围，理想的电流线性； 
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 等产品上的高频宽带低噪声放大 器；                                            
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=12V，最大集电极电流：IC=200mA；最大 集电极耗散功率：PC=2000mW,特征频率：fT=6.5GHz；