√ 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中, 如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 视频放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、光纤射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品;
√ 集电极-基极击穿电压:BVCEO=12V,集电极电流:IC=70mA,耗散功率: PC=300mW,特征频率:fT=9GHz;
√ 封装形式:SOT323,本体印字(Marking): N2t