BFG520W/XR NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如有 线电视数字机顶盒、卫星电视调谐器、CATV 放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=12V，最大集电极电流：IC=70mA,集电极 耗散功率：PC=400mW，特征频率：fT=9GHz；  
√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT343R 表面贴塑封;  塑封本体丝印（Marking）:N4t。