BFQ540 NPN TRANSISTOR

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流、金材质引出结构，具有较高的可靠性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和 光纤传输中的中继放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流：IC=120mA,集电 极耗散功率：PC=1200mW，特征频率：fT=9GHz；  
√ 采用 SOT89 封装，本体印字：N4。