AT-32011 NPN 高频低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级小信号放大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤模块中的中继放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=5.5V，最大集电极电流：IC=35mA,耗 散功率：PC=200mW，特征频率：fT=10GHz；  
√ 封装形式： SOT143B，对应的本体印字：320B。