MMBR9411 NPN 微波低噪声晶体管
√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及 低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器 中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、雷达感应开关、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤模块等产品；
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，集电极电流：ICM=50mA,耗 散功率：PC=250mW，特征频率：fT=9.0GHz;
√ 封装形式(Package)：SOT143B,塑封本体印字(Marking)：7V-**
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器 中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、雷达感应开关、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤模块等产品；
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，集电极电流：ICM=50mA,耗 散功率：PC=250mW，特征频率：fT=9.0GHz;
√ 封装形式(Package)：SOT143B,塑封本体印字(Marking)：7V-**
