BFS520R 高频低噪声宽带晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、 小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；  
√ 本型号产品所使用芯片与 BFS520-SOT323-N2t 一样，是应部分雷达感应开关用 户布线所需，将基极与发射极的脚位反向交替（见右图，发射极 E 的脚位与基极 B 的 脚位对调）封装；   
√ 集电极-基极击穿电压：BVCEO=10V，大集电极电流：ICM=70mA,大耗散功 率：PCM=300mW，特征频率：fT=9GHz;   
√ 封装形式：SOT323,本体印字(Marking)： N2R 或 FCB。