BFR193 NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器 中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=12V，最大集电极电流： IC=80mA, 集电极耗散功率：PC=500mW，特征频率：fT=9GHz；  
√ 封装形式：SOT23,本体印字(Marking)：RCs。