BFP420 高频微波低噪声晶体管
√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器（ku 波段高频头） 、5.8GHz 微波感应、射频模块、无线 发射接收放大等电路中；
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=3.3V，最大集电极电流：ICM=35mA, 集电极耗散功率：PC=115mW；
√ 封装形式：SOT343R,本体印字(Marking)：AMs
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器（ku 波段高频头） 、5.8GHz 微波感应、射频模块、无线 发射接收放大等电路中；
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=3.3V，最大集电极电流：ICM=35mA, 集电极耗散功率：PC=115mW；
√ 封装形式：SOT343R,本体印字(Marking)：AMs
