√ 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流、金材质引出结构,具有较高的可靠性;
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中, 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品;
√ 集电极-发射极击穿电压:BVCEO=15V,最大集电极电流:IC=120mA,集 电极耗散功率:PC=400mW,特征频率:fT=9GHz;
√ 采用 4 引脚(宽集电极引脚与双发射极引脚)的 SOT143B 和 SOT143R 表 面贴塑封。