AT-31011 NPN 高频低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级 小信号放大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=8V，最大集电极电流： IC=18mA, 集电极耗散功率：PC=150mW，特征频率：fT=10GHz；  
√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 表面贴 塑封,塑封本体丝印：N39。