2SC5508 NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性； 
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器（高频头）、微波感应、射频模块、无线 发射、接收放大等电路中；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=3.3V，最大集电极电流：ICM=35mA,集 电极耗散功率：PC=115mW；  
√ 封装形式：SOT143B,本体印字(Marking)：T79。贴片时，顺时针旋转 90°， 就能对位贴到 NEC 的 2SC5508-SOT343N 的焊盘上，等效替代。