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2SC5012晶体管产品规格书

2SC5012 NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低 漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块 和光纤传输中的中继放大器等产品;   
√ 集电极-发射极击穿电压:BVCEO=10V,最大集电极电流:IC=70mA,集 电极耗散功率:PC=300mW,特征频率:fT=9GHz;  
√ 采用 4 引脚(宽集电极引脚与双发射极引脚)的 SOT343N 和 SOT343R(SC82)表面贴塑封;

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