√ 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏 电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中, 如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、 射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品;
√ 集电极-基极击穿电压:BVCEO=9V,最大集电极电流:ICM=50mA,特征频 率:fT=9GHz;
√ 封装形式: SOT323,本体印字(Marking):XM-##。