√ 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、 小结电容特性;
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级小信号放 大器中,如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤传 输中的中继放大器等品;
√ 集电极-发射极击穿电压:BVCEO=10V,最大集电极电流:IC=30mA,集电 极耗散功率:PC=150mW,特征频率:fT=10GHz;
√ 采用 4 引脚(宽集电极引脚与双发射极引脚)的 SOT143B 和 SOT143R 表 面贴塑封;