ON4832 NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流特性，具有较高的可靠性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如电视机顶盒、卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=12V，最大集电极电流：IC=120mA,集电 极耗散功率：PC=400mW，特征频率：fT=9GHz；  
√ 可替代 NXP 的同型号产品，是 BFG540 的升级产品；  
√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 和 SOT143R 表面贴塑封。