BFG540W/XR NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流、金材质引出结构，具有较高的可靠性；  
√ 主要应用于超高频微波信号放大、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低 噪声放大器中的视频放大，如电视机顶盒、卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品中，可以替代 NXP 的同型号产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=12V，最大集电极电流： IC=120mA, 集电极耗散功率：PC=500mW，特征频率：fT=9GHz；  
√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT343R（也称为 SC82 或者 SOT323-4）表面贴塑封；  
√ 塑封体丝印（MARKING）：N8。