BFG505W;W/X;W/XR 高频低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有小信号高增益、宽带、低噪声、低漏电 流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；  
√ 主要应用于高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级放大器中，如电视调谐器、卫星电视接收器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品中；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流：IC=18mA,集 电极耗散功率：PC=500mW，特征频率：fT=9GHz；  
√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT343N 和 SOT343R 表面贴塑封封装。