BFR505 NPN 高频低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低 漏电流、小结电容特性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级小 信号放大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频 模块和光纤传输中的中继放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流： IC=18mA, 集电极耗散功率：PC=150mW，特征频率：fT=10GHz； 
√ 采用 SOT23 表面贴塑封，本体印字：31*。