PBR951 NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造；具有高功率增益放大以及低噪声系数特性,具有较宽的动态范围，低失真，理想的电流线性； 
√ 主要应用于无线遥控、无线通讯、MATV、CATV 放大、雷达感应模块和 RF 通信用户终端等设备上； 
√ 封装形式： SOT23，塑封本体印字：W2；                                               
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流：IC=150mA；集电极最大耗散功率：PC=500mW,特征频率：fT=8GHz。