PBR951B NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低 漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性。与普通 PBR951 相 比较，PBR951B 提高了 BVCEO，适合应用于直流电压较高的产品上；  
√ 主要应用于无线接收、发射设备的高频宽带低噪声放大器中，如使用 12V电压的无线门铃、无线遥控器、模拟数字无绳电话、无线安防报警器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=20V，集电极电流：ICM=100mA,耗散 功率：PC=365mW，特征频率：fT=8.5GHz;  
√ 封装形式(Package)：SOT23,塑封本体印字(Marking)：W2+。