BFM520 高频低噪声宽带晶体管(双管)

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，并采用相互独立的双芯片封装结构，具有高功 率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性、较大的动态范围，理想的电流线性、体积小等特点；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如 光纤视频中继放大器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达 感应探测器、射频模块等产品；   
√ 可替代 NXP 同型号芯片以及英飞凌的 BFS483；  
√ 集电极-基极击穿电压：BVCEO=8V，集电极电流（单管）：IC=70mA,耗散 功率（双管）：PC=1000mW，特征频率：fT=9GHz;   
√ 封装形式：SOT363,本体印字(Marking)：N2-。