BFG590、BFG590/X NPN 微波低噪声晶体管

本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流、金材质引出结构，具有较高的可靠性；  
主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块中的中继放大器等产品；   
集电极-发射极击穿电压：BVCEO≥15V，最大集电极电流：IC=200mA,集电极耗散功率：PC=400mW， 特征频率：fT=7GHz；  
采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 表面贴塑封。