BFG197 NPN 微波低噪声晶体管

√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及 低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；  
√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；   
√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，集电极电流：IC=100mA,耗散功 率：PC=300mW，特征频率：fT=8GHz。